Diseño Módulo de estado sólido (SSM)

Factor de forma M.2 2280

interfaz M.2 / M-Key (PCIe 3.0 x4)

Leer 3400 MB / s

Escribir 2900 MB / s SLC en caché

Leer / escribir IOPS 4K 480 k / 550 k

Módulos de memoria 3D-NAND TLC, Toshiba / WD, 64 capas (BiCS3)

TBW 1,2 PB

Previsión de confiabilidad 1,75 millones de horas (MTBF)

Controlador Sandisk / WD, 8 canales

Cache no especificado (LPDDR4), caché SLC

protocolo NVMe 1.3